价 格: | 82287848.00 | |
品牌/型号: | IR | |
种类: | 结型JFET | |
用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | P-FET硅P沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 80(V) | |
低频跨导: | 15(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 65(dB) | |
漏极电流: | 85(mA) | |
耗散功率: | 125(mW) | |
沟道类型: | P沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
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