类型 | 单片机 | 品牌/商标 | ATMEL |
型号/规格 | ATMEGA64-16AU | 封装 | 64-TQFP |
批号 | 1103+ |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP360PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 400(V) 夹断电压 25(V) 极间电容 4500(pF) 漏极电流 14(mA) 耗散功率 280(mW) 【推荐】控制ICIR2103,IR2103S,IR2104S,IR2153,IR2153S,IR2155,IR2110,IR2111,IR2111S,IR2520D,IR2109,IR2101,IR2117,IR2161,IR2151....【推荐】肖特基二极管,快恢复管,集成电路30CPQ100,HFA08TB60,HFA16TA60C,8ETH06,15ETH06,11DQ10,MC33063ADR2G,MC34063ADR2G,HEF4046B...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4332 PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 250(V) 极间电容 5860(pF) 漏极电流 60(mA) 耗散功率 390(mW) 数据列表IRFB4332PbF产品相片TO-220AB Pkg产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 35A, 10V漏极至源极电压(Vdss)250V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60AId 时的 Vgs(th)()5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ ...