IR 场效应管 IRFP360 IRFP360PBF 全新原装 优势价格
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP360PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 400（V） | 夹断电压 | 25（V） |
| 极间电容 | 4500（pF） | 漏极电流 | 14（mA） |
| 耗散功率 | 280（mW） |
【推荐】控制IC
IR2103，IR2103S，IR2104S，IR2153，IR2153S，IR2155，IR2110，IR2111，IR2111S，IR2520D，IR2109，IR2101，IR2117，IR2161，IR2151....
【推荐】肖特基二极管，快恢复管，集成电路
30CPQ100，HFA08TB60，HFA16TA60C，8ETH06，15ETH06，11DQ10，MC33063ADR2G，MC34063ADR2G，HEF4046BT，MUR860，VIPER12A，VIPER22A....
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| IRFP360 |
| TO-247-3 |
| 500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 200 毫欧 @ 14A, 10V |
| 400V |
| 23A |
| 4V @ 250µA |
| 210nC @ 10V |
| 4500pF @ 25V |
| 280W |
| 通孔 |
| TO-247-3 |
| 管件 |
| TO-247-3 |
| *IRFP360PBF |
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IR全系列 场效应管 IRFB4332PBF IRFB4332 原装现货
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4332 PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 250（V） 极间电容 5860（pF） 漏极电流 60（mA） 耗散功率 390（mW） 数据列表IRFB4332PbF产品相片TO-220AB Pkg产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 35A, 10V漏极至源极电压(Vdss)250V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60AId 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ ...
ST意法半导体场效应管STP9NK70ZFP
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK70ZFP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DUAL/配对管 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 700（V） 极间电容 1370（pF） 漏极电流 7.5（mA） 耗散功率 35（mW） 数据列表STx9NK70Z(FP,-1)产品相片TO-220FP Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)700V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）4.5V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(...
