0603ESDA-LC ESD静电抑制器
| 价 格： | 0.18 |
| 品牌/商标 | BETEK | 型号/规格 | 0603ESDA-LC |
| 种类 | 抑制器 | 用途 | 电子 |
| 体积 | 微型 | 电压特性 | 低压 |
| 形状 | 贴片式 | 执行标准 | 国标 |
| 自动复位功能 | 有 |
ESD的意思是“静电释放”的意思,它是英文:Electro-Static discharge 的缩写,即"静电放电"的意思.ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科.因此,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为“ESD”,中文名称为静电阻抗器.
1.静电成因及其危害
静电是两种介电系数不同的物质磨擦时,正负极性的电荷分别积累在两个特体上而形成.当两个物体接触时,其中一个趋从于另一个吸引电子,因而二者会形成不同的充电电位.就人体而言,衣服与皮肤之间的磨擦发生的静电是人体带电的主要因之一.
静电源与其它物体接触时,依据电荷中和的机理存在着电荷流动,传送足够的电量以抵消电压.在高速电量的传送过程中,将产生潜在的破坏电压、电流以及电磁场,严重时将其中物体击毁,这就是静电放电.国家标准中定义:静电放电是具有不同静电电位的特体互相靠近或直接接触引起的电荷转移(GB/T4365-1995),一般用ESD表示.ESD会导致电子设备严重损坏或操作失常.
静电对器件造成的损坏有显性和隐性两种.隐性损坏在当时看不出来,但器件变得更脆弱,在过压、高温等条件下极易损坏.
ESD两种主要的破坏机制是:由ESD电流产生热量导致设备的热失效;由ESD感应出过高电压导致绝缘击穿.两种破坏可能在一个设备中同时发生,例如,绝缘击穿可能激发大的电流,这又进一步导致热失效.
除容易造成电路损害外,静电放电也极易对电子电路造成干扰.静电放电对电子电路的干扰有二种方式.一种是传导干扰,另一种是辐射干扰.
2.数码产品的构造及其ESD问题
现在各类数码产品的功能越来越强大,而电路板却越来越小,集成度越来越高.并都或多或少的装有部分接口用于人机交互,这样就存在着人体静电放电的ESD问题.一般数码产品中需要进行ESD防护的部位有:USB接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数据传输接口
ESD可能会造成产品工作异常、死机,甚至损坏并引发其他的安全问题.所以在产品上市之前,国内或国外检测部门都要求进行ESD和其它浪涌冲击的测试.其中接触放电需要达到±8kV,空气放电需要达到±15kV,这就对ESD的设计提出了较高的要求.
在壳体和PCB的设计中,对ESD问题加以注意之后,ESD还会不可避免地进入到产品的内部电路中,尤其是以下一些端口:USB接口、HDMI接口、IEEE1394接口、天线接口、VGA接口、DVI接口、按键电路、SIM卡、耳机及其他各类数据传输接口,这些端口很可能将人体的静电引入内部电路中.所以,需要在这些端口中使用ESD防护器件.
以往主要使用的静电防护器件是压敏电阻和TVS器件,但这些器件普遍的缺点是响应速度太慢,放电电压不够,极间电容大,寿命短,电性能会因多次使用而变差.所以目前行业中普遍使用的“静电抑制器”来取代以往的静电防护器件 .“静电抑制器”是解决静电问题的产品,其内部构造和工作原理比其他产品更具科学性和性.它由Polymer高分子材料制成,内部菱形分子以规则离散状排列,当静电电压超过该器件的触发电压时,内部分子迅速产生对的放电,将静电在瞬间泄放到地.它特点是反应速度快(0.5ns~1ns)、非常低的极间电容(0.05pf~3pf),很小的漏电流(1μA),非常适合各种接口的防护.
因为静电抑制器具有体积小(0603、0402)、无极性、反应速度快等诸多优点,现在的设计中使用静电抑制器作为防护器件的比例越来越多,在使用时应注意以下几点:
1、将该器件尽量放置在需要保护的端口附近;
2、到GND的连线尽可能短;
3、所接GND的面积尽可能大.
- 所属城市：广东 东莞
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肖特基二极管MBRS4201T3G SMC
信息内容：品牌/商标 ON安森美 型号/规格 MBRS4201T3G 产品类型 肖特基管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 玻璃封装 正向直流电流IF 4（A） 反向电压 200（V）
场效应管IRLML6402 SOT-23
信息内容：品牌/商标 IR/台湾SIPU 型号/规格 IRLML6402/SPLML6402 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 ☆★ Ultra Low On-Resistance☆★P-Channel MOSFET☆★ SOT-23 Footprint☆★Low Profile (<1.1mm)☆★Available in Tape and Reel☆★Fast SwitchingThese P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve extremely low onresistanceper silicon area. This benefit, combined with the fastswitching speed and ruggedized device design that HEXFETÒpower MOSFETs are well known for, provides the designer withan extremely efficient and reliable device for use in battery andload management.A thermally enhanced large pad leadframe has been incorporatedinto the standard SOT-23 package to produce a HEXFET PowerMOSFET with...
