Cree XLamp XT-E 白光 LED 是目前性能的白光 LED。通用 XP 规格的 XT-E LED 的每美元流明数已经达到了之前市场上 LED 的两倍。通用的 XP 规格令客户可轻松将 XT-E LED 加入到现有 XP LED 设计中,从而缩短设计周期,加快上市时间。
XLamp XT-E 白光 LED 采用一代的 Cree 碳化硅基 LED 芯片构建,可实现更高的光通量和功效,设立了功效、光萃取和质量的新标准。XT-E LED 可加快 LED 照明应用,对于冷白光 (6000 K) 可实现每瓦特 148 流明和 148 流明,对于暖白光 (3000 K) 可实现每瓦特 114 流明和 114 流明(均采用 350 mA 和 85°C)。
特性
照明应用
一般照明应用和定向照明应用
文档
| 标题 | 版本 | 最近更新 | |
| 数据手册 | 2 | 2012 年 3 月 6 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| 分档和标贴 | 1 | 2012 年 2 月 7 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
应用说明
| 标题 | 版本 | 最近更新 | |
| 焊接和处理 | 6 | 2012 年 3 月 7 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| LED 光源设计指南 | 0 | 2007 年 7 月 24 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| 优化 PCB 热性能 | 2 | 2012 年 2 月 10 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| 电过载 | 0 | 2009 年 3 月 17 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| XLamp LED 的脉冲过流驱动:相关信息及注意事项 | 0 | 2011 年 1 月 17 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| 测试与校准 | 0 | 2011 年 8 月 16 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
| 化学兼容性 | 0 | 2011 年 8 月 18 日 | dzsc/18/4787/18478760.gif |
Cree 是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的供应商。 典型应用包括: 双通道私人电台 宽带放大器 蜂窝基础设施 测试仪器 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器 Cree RF 器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。 SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。 这些特性包括: 高导热性 高击穿电场 高饱和电子漂移速度 高功率密度(每单位栅范围功率) 这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选,可用于十倍频程带宽功率放大器。 公司介绍: 我司成立于1987年,是美国上市公司(1993年,纳斯达克:CREE),为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者。 我司是市场上的照明革新者与半导体制造商,以显著提高固态照明,电力及通讯产品的能源效果来提高价值。 我司的市场优势来源于碳化硅(SiC)材料,以及用此来外延芯片和制备相关的器件。这些芯片及器件可在很小的空间里用更大的功率,同时比别的现有技术,材料及产品放热更少。
产品说明 XLamp XB-D 是 Cree 推出的一款照明级 LED,它使 LED 照明应用的性价比达到了新一代更高的水平。XLamp XB-D 的性能与 XP-G LED 相当,但其封装尺寸却比 XLamp XP 小 48%。 XB-D 采用 Cree 一代基于碳化硅的 LED 芯片,它经过设计优化,可大幅降低各种照明应用的系统成本。 特点 Cree 尺寸最小的照明级 LED:2.45 X 2.45 mm 冷白款光效可高达 136 lm/W (85 °C,350 mA 时) 有白光、最小显色指数 80 白光和最小显色指数 70 冷白规格可选 1 A 驱动电流 热阻低:6.5°C/W 视角宽: 115° 可回流焊,符合 JEDEC J-STD-020C 标准 在不超过 30°C/85% 相对湿度条件下,车间寿命不受限制 散热部分不带电(热电分离) 符合 RoHS 和 REACH 要求 公司介绍: 我司成立于1987年,是美国上市公司(1993年,纳斯达克:CREE),为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者。 我司是市场上的照明革新者与半导体制造商,以显著提高固态照明,电力及通讯产品的能源效果来提高价值。