供应宽带放大器专用RF芯片，优质RF芯片厂家热销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | RF | |
| 品牌/商标： | Cree |
Cree 是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的供应商。
典型应用包括：
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。
这些特性包括：
高导热性
高击穿电场
高饱和电子漂移速度
高功率密度（每单位栅范围功率）
这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
公司介绍：
我司成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者。
我司是市场上的照明革新者与半导体制造商，以显著提高固态照明，电力及通讯产品的能源效果来提高价值。
我司的市场优势来源于碳化硅（SiC)材料，以及用此来外延芯片和制备相关的器件。这些芯片及器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更少。
- 所属城市：香港 香港
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李先生
- 电话：0852-24248228
- 传真：0852-24222737
- 手机：
- QQ ：
供应XB-D白光LED，136 lm/W XB-D白光LED
信息内容：产品说明 XLamp XB-D 是 Cree 推出的一款照明级 LED，它使 LED 照明应用的性价比达到了新一代更高的水平。XLamp XB-D 的性能与 XP-G LED 相当，但其封装尺寸却比 XLamp XP 小 48%。 XB-D 采用 Cree 一代基于碳化硅的 LED 芯片，它经过设计优化，可大幅降低各种照明应用的系统成本。 特点 Cree 尺寸最小的照明级 LED：2.45 X 2.45 mm 冷白款光效可高达 136 lm/W (85 °C，350 mA 时) 有白光、最小显色指数 80 白光和最小显色指数 70 冷白规格可选 1 A 驱动电流 热阻低：6.5°C/W 视角宽： 115° 可回流焊，符合 JEDEC J-STD-020C 标准 在不超过 30°C/85% 相对湿度条件下，车间寿命不受限制 散热部分不带电（热电分离） 符合 RoHS 和 REACH 要求 公司介绍： 我司成立于1987年，是美国上市公司（1993年，纳斯达克：CREE），为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者。 我司是市场上的照明革新者与半导体制造商，以显著提高固态照明，电力及通讯产品的能源效果来提高价值。
供应CRF24060-TB开发板，宽带放大器专用开发板
信息内容：产品属性： 类别 RF/IF 和 RFID 家庭 RF 评估和开发套件，板 系列 - 类型 MESFET 频率 0Hz ~ 2.4GHz 适用于相关产品 CRF24060 已供物品 板 典型应用包括 双通道私人电台 宽带放大器 蜂窝基础设施 测试仪器 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器 Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。 SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括 高导热性 高击穿电场 高饱和电子漂移速度 高功率密度（每单位栅范围功率） 这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器
