产品说明
XLamp XB-D 是 Cree 推出的一款照明级 LED,它使 LED 照明应用的性价比达到了新一代更高的水平。XLamp XB-D 的性能与 XP-G LED 相当,但其封装尺寸却比 XLamp XP 小 48%。
XB-D 采用 Cree 一代基于碳化硅的 LED 芯片,它经过设计优化,可大幅降低各种照明应用的系统成本。
特点
Cree 尺寸最小的照明级 LED:2.45 X 2.45 mm
冷白款光效可高达 136 lm/W (85 °C,350 mA 时)
有白光、最小显色指数 80 白光和最小显色指数 70 冷白规格可选
1 A 驱动电流
热阻低:6.5°C/W
视角宽: 115°
可回流焊,符合 JEDEC J-STD-020C 标准
在不超过 30°C/85% 相对湿度条件下,车间寿命不受限制
散热部分不带电(热电分离)
符合 RoHS 和 REACH 要求
公司介绍:
我司成立于1987年,是美国上市公司(1993年,纳斯达克:CREE),为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的制造商和行业者。
我司是市场上的照明革新者与半导体制造商,以显著提高固态照明,电力及通讯产品的能源效果来提高价值。
产品属性: 类别 RF/IF 和 RFID 家庭 RF 评估和开发套件,板 系列 - 类型 MESFET 频率 0Hz ~ 2.4GHz 适用于相关产品 CRF24060 已供物品 板 典型应用包括 双通道私人电台 宽带放大器 蜂窝基础设施 测试仪器 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器 Cree RF 器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。 SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括 高导热性 高击穿电场 高饱和电子漂移速度 高功率密度(每单位栅范围功率) 这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选,可用于十倍频程带宽功率放大器
产品属性: 类别 传感器,转换器 家庭 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 系列 - 波长 950nm 颜色 - 增强型 - 光谱范围 350nm ~ 1100nm 二极管类型 引脚 nm 下响应率 - 响应时间 15ns 电压 - (Vr)() 50V 电流 - 暗(标准) 5nA 有效面积 29.44mm x 19.52mm 视角 - 工作温度 -20°C ~ 75°C 封装/外壳 阵列 - 16 元件 C4SMT-RJS/GJS/BJS(4 毫米椭圆形 RGB LED) 业界的倾斜角,4 毫米椭圆形 LED 峰值强度获得 -20 度的补偿并根据观众上方的屏幕进行优化 红绿蓝 (RGB) 像素,非常适合户外全彩视频屏幕和标牌 Screen Master® 系列提供匹配的辐射方向图,带来均衡的视觉体验 公司概述: Cree公司是市场上的照明革新者与半导体制造商,以显著提高固态照明,电力及通讯产品的能源效果来提高价值。 Cree的市场优势来源于碳化硅(SiC)材料,以及用此来外延芯片和制备相关的器件。这些芯片及器件可在很小的空间里用更大的功率,同时比别的现有技术,材料及产品放热更少。 Cree把能源回归解决方案(ROE?)用于多种用途,包括在更亮及可调节的发光二极管光照明(LED),更鲜艳的背光显...