一、传感器低功耗芯片特性
隧道磁电阻 ( TMR) 技术
高灵敏度 12 mV/V/Oe
低功耗
超高频率响应 >20 MHz
优越的温度稳定性
较小磁滞
宽工作电压范围
二、传感器低功耗芯片概述
MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。
三、传感器低功耗芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
工作电压 VCC 1 5 V
工作电流 ICC 12.5(2) μA
电阻值 R 80(3) kOhm
灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
动态范围 ±50 Oe
线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
失调电压 VOQ ±5 mV/V
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一、智能安防低功耗传感器芯片在物联网中应用 物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建,形成较完善的物联网产业链,“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面,国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的建设,力争实现规模化应用。这十个发展重点领域应用示范工程包括:智能工业、智能农业、智能物流、智能交通、智能电网、智能环保、智能安防、智能医疗以及智能家居。 二、低功耗传感器芯片特点如下: 灵敏度高、精度高:灵敏度可以达到十高斯 响应频率高:典型值为10 kHz 低功耗:工作电流为6 uA @ 3 V 小型封装:SOT23-3,TO-92 三、TMR磁传感器器件优点: 响应频率高,可达GHz以上 精度高,灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽 功耗更低,电阻率大、工作电流小,工作电压低 温度稳定性好,工作温度范围宽,可达200摄氏度 体积小,工艺性好,便于与现有的半导体芯片工艺集成,与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好,可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作 心动不如行动,...
一、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 二、TMR磁传感器器件优点: 响应频率高,可达GHz以上 精度高,灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽 功耗更低,电阻率大、工作电流小,工作电压低 温度稳定性好,工作温度范围宽,可达200摄氏度 体积小,工艺性好,便于与现有的半导体芯片工艺集成,与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好,可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作 三、特点如下: 灵敏度高、精度高:灵敏度可以达到十高斯 响应频率高:典型值为10 kHz 低功耗:工作电流为6 uA @ 3 V 小型封装:SOT23-3,TO-92 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! ...