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供应MMLH45F传感器优质芯片,MMLH45F系列产品多维

价 格: 面议
型号/规格:MMLH45F
品牌/商标:MDT

一、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
  工作电压 VCC 1 5 V
  工作电流 ICC 12.5(2) μA
  电阻值 R 80(3) kOhm
  灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe
  动态范围 ±50 Oe
  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe
  失调电压 VOQ ±5 mV/V
  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS
  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C

二、TMR磁传感器器件优点:
  响应频率高,可达GHz以上
  精度高,灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽
  功耗更低,电阻率大、工作电流小,工作电压低
  温度稳定性好,工作温度范围宽,可达200摄氏度
  体积小,工艺性好,便于与现有的半导体芯片工艺集成,与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好,可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作
  

三、特点如下:
  灵敏度高、精度高:灵敏度可以达到十高斯
  响应频率高:典型值为10 kHz
  低功耗:工作电流为6 uA @ 3 V
  小型封装:SOT23-3,TO-92

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供应MMLH45F芯片,多维15V传感器芯片直销

信息内容:

一、MMLH45F芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)  动态范围 ±50 Oe  线性范围 非线性度<1% ±15 Oe  失调电压 VOQ ±5 mV/V  磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS  失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C  灵敏度温度系数 -0.1 %/°C  使用温度 TA -40 125 °C  频率响应 FCUT DC 20 MHz  注:  (1)1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。  (2)ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。  (3)阻值可以选择,详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用  MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。 三、特点如下:  灵敏度高、精度高:灵敏度可以达到十高斯  响应频率高:典型值为10 kHz  低功耗...

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供应低功耗传感器芯片,12mV传感器芯片厂家

信息内容:

一、低功耗传感器芯片特性  隧道磁电阻 ( TMR) 技术  高灵敏度 12 mV/V/Oe  低功耗  超高频率响应 >20 MHz  优越的温度稳定性  较小磁滞  宽工作电压范围 二、低功耗传感器芯片概述  MMLH45F采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。MMLH45F性能优越,采用SOP8封装(尺寸为6 mm 5 mm 1.7 mm)形式。   三、TMR线性传感器芯片作为开环PCB级电流传感器的应用特点:  测量范围广(1A~100A)  温度特性好(-0.1%/℃)  测量精度高(0.1%/FS)  灵敏度极高(12mV/V/Oe)  体积小  抗干扰能力强  工作温度范围宽(-55℃~125℃)  处理电路简单 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com

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