供应智能安防低功耗传感器芯片，0.1mV传感器多维直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLH45F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、智能安防低功耗传感器芯片在物联网中应用
物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建，形成较完善的物联网产业链，“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面，国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的建设，力争实现规模化应用。这十个发展重点领域应用示范工程包括：智能工业、智能农业、智能物流、智能交通、智能电网、智能环保、智能安防、智能医疗以及智能家居。
二、低功耗传感器芯片特点如下：
灵敏度高、精度高：灵敏度可以达到十高斯
响应频率高：典型值为10 kHz
低功耗：工作电流为6 uA @ 3 V
小型封装：SOT23-3，TO-92
三、TMR磁传感器器件优点：
响应频率高，可达GHz以上
精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽
功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低
温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度
体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作
心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！
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供应MMLH45F传感器优质芯片，MMLH45F系列产品多维
信息内容：一、性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 工作电压 VCC 1 5 V 工作电流 ICC 12.5(2) μA 电阻值 R 80(3) kOhm 灵敏度 SEN 在±15 Oe范围拟合 12 mV/V/Oe 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 二、TMR磁传感器器件优点： 响应频率高，可达GHz以上 精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽 功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低 温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度 体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作 三、特点如下： 灵敏度高、精度高：灵敏度可以达到十高斯 响应频率高：典型值为10 kHz 低功耗：工作电流为6 uA @ 3 V 小型封装：SOT23-3，TO-92 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ ...
供应MMLH45F芯片，多维15V传感器芯片直销
信息内容：一、MMLH45F芯片性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出) 动态范围 ±50 Oe 线性范围 非线性度<1% ±15 Oe 失调电压 VOQ ±5 mV/V 磁滞 Hys. 在±15 Oe范围拟合 1 %FS 失调电压温漂 VOT H = 0 Oe ±0.01 mV/V/°C 灵敏度温度系数 -0.1 %/°C 使用温度 TA -40 125 °C 频率响应 FCUT DC 20 MHz 注： （1）1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。 （2）ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。 （3）阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。 二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，所谓“非挥发性”是指关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与FLASH雷同；而“随机存取”是指中央处理器读取资料时，不需要从头开始，随时可用相同的速率，从内存的任何部位读写信息。 三、特点如下： 灵敏度高、精度高：灵敏度可以达到十高斯 响应频率高：典型值为10 kHz 低功耗...
