一、MMS105H开关传感器特点:
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度,低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
二、在MRAM中的应用
磁性MEMS应用最的例子是硬盘和磁带的记录磁头。它采用了基于传感器的技术(AMR,GMR和TMR)。由于TMR技术与AMR,GMR相比,具有优势,目前硬盘已经完全采用这技术。
隧道式磁阻(TMR)是一种更新的技术,TMR代替GMR组成存储元件后,不但可以减小MOSFET的面积,而且不需要进行重复读取。
三、产品应用:
1.计量仪表(水表,气表,热量表)
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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一、MMS105H系列产品特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 二、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。 三、产品应用: 1.计量仪表(水表,气表,热量表) 2.固态开关 3.速度检测 4.旋转位置检测 5.线性位移检测 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电...
一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。 二、产品介绍: MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功...