一、TMR磁阻传感器在MRAM中的应用
MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器,所谓“非挥发性”是指关掉电源后,仍可以保持记忆完整,功能与FLASH雷同;而“随机存取”是指中央处理器读取资料时,不需要从头开始,随时可用相同的速率,从内存的任何部位读写信息。MRAM运作的基本原理与硬盘驱动器相同。和在硬盘上存储数据一样,数据以磁矩的方向为依据,存储为0或1。它存储的数据具有性,直到被外界的磁场影响之后,才会改变这个磁性数据。
二、产品介绍:
MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
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一、TMR磁阻传感器在物联网中的应用 磁传感器作为传感器产业中的重要分支,在物联网应用领域有着巨大的市场,在全球范围内被很多国家提高到了国家经济和国防的战略高度。 我国物联网“十二五”发展规划近日出台。规划要求到2015年初步完成物联网产业体系构建,形成较完善的物联网产业链,“感知技术、传输技术、处理技术”将作为物联网核心技术攻克的重要领域,而产业布局和培育方面,国家将重点推进十大产业聚集区及100家骨干企业的建设,力争实现规模化应用。这十个发展重点领域应用示范工程包括:智能工业、智能农业、智能物流、智能交通、智能电网、智能环保、智能安防、智能医疗以及智能家居。 二、极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 三、公司介绍: 江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术——隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区...
一、智能环保专用传感器芯片应用介绍: 被测磁场方向平行于TMR芯片灵敏方向,被测电流Ip流经的电流线为U形铜导线,两个TMR芯片位于U形电流线的正上方,通过被测电流Ip后,U型线两臂正上方的同一位置产生方向相反、大小相同的磁场强度B。两TMR芯片分别感应U形线两臂产生的磁场B,经过简单的差分电路既可将两TMR芯片的输出信号放大取出,得到最终的输出信号Vout。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 12mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 -1.6%/℃ -0.1%/℃ 是否需要磁环 必须要 不需 二、极限参数参数 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C 外加磁场 B 2000 Oe(1) ESD (HBM) 4000 V 三、公司介绍: 江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术——隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。 多维科技...