供应电子设备专用传感器，MMS103H磁电阻传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMS103H磁电阻传感器介绍：
MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、磁电阻传感器介绍：
磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下，材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。
随着科学技术的迅速发展，人们对各种电子设备的性能要求不断提高，这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化，从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同，磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器，以及电磁感应传感器、磁弹性(应力) 传感器、温度传感器(利用居里点磁性转变)、磁光效应电流传感器、磁共振弱磁场探测等等。
三、MMS103H磁电阻传感器特点：
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度，低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
四、MMS103H磁电阻传感器应用：
1.计量仪表（水表，气表，热量表）
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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供应低开关点显示屏专用传感器，优质MMS103H传感器
信息内容：一、MMS103H传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、四代磁性传感技术 代：Hall Effect Sensor--霍尔效应传感器 第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor--各向异性磁电阻传感器 第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor--巨磁电阻传感器 第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor--隧道磁电阻传感器 Hall工作原理 电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转，在磁场方向上形成附加的横向电场，即霍尔电场 纵向磁场感应 三、MMS103H传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度，低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的...
供应1～3%传感器，45°偏角磁阻传感器厂家
信息内容：一、磁阻传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、AMR工作原理 单磁层器件 平行磁场感应 1～3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄 GMR工作原理 电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射 大部分电子不能形成散射 室温条件下，GMR的电阻变化率（△R/R）<20% 三、磁阻传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度，低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 四、磁阻传感器应用： 1.计量仪表（水表，气表，热量表） 2.固态开关 3.速度检测 4.旋转...
