供应低开关点显示屏专用传感器，优质MMS103H传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMS103H传感器介绍：
MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、四代磁性传感技术
代：Hall Effect Sensor--霍尔效应传感器
第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor--各向异性磁电阻传感器
第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor--巨磁电阻传感器
第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor--隧道磁电阻传感器
Hall工作原理
电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转，在磁场方向上形成附加的横向电场，即霍尔电场
纵向磁场感应
三、MMS103H传感器特点：
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度，低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
四、MMS103H传感器应用：
1.计量仪表（水表，气表，热量表）
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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供应1～3%传感器，45°偏角磁阻传感器厂家
信息内容：一、磁阻传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、AMR工作原理 单磁层器件 平行磁场感应 1～3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄 GMR工作原理 电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射 大部分电子不能形成散射 室温条件下，GMR的电阻变化率（△R/R）<20% 三、磁阻传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度，低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 四、磁阻传感器应用： 1.计量仪表（水表，气表，热量表） 2.固态开关 3.速度检测 4.旋转...
供应低功耗手机专用传感器，MMS103H开关传感器厂家
信息内容：一、MMS103H开关传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、TMR优势 功耗低 灵敏度/分辨率高 工作范围宽 工作温度范围大 高频响，可达GHz TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义； 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过--低电阻，否则不通过--高电阻）； 室温条件下，TMR的电阻变化率（△R/R）可达500%以上。 三、MMS103H开关传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度，低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的...
