供应1～3%传感器，45°偏角磁阻传感器厂家
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS103H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、磁阻传感器介绍：
MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、AMR工作原理
单磁层器件
平行磁场感应
1～3% △R/R
工作在45°偏角
电流在薄膜平面流动
工作场范围窄
GMR工作原理
电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射
大部分电子不能形成散射
室温条件下，GMR的电阻变化率（△R/R）<20%
三、磁阻传感器特点：
1.隧道磁电阻 (TMR) 技术
2.双极锁存型开关
3.高灵敏度，低开关点
4.超低功耗
5.宽工作电压范围
6.卓越的温度稳定性
7.极高的频率响应
8.优良的ESD防护性能
四、磁阻传感器应用：
1.计量仪表（水表，气表，热量表）
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
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供应低功耗手机专用传感器，MMS103H开关传感器厂家
信息内容：一、MMS103H开关传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、TMR优势 功耗低 灵敏度/分辨率高 工作范围宽 工作温度范围大 高频响，可达GHz TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义； 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过--低电阻，否则不通过--高电阻）； 室温条件下，TMR的电阻变化率（△R/R）可达500%以上。 三、MMS103H开关传感器特点： 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度，低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的...
供应计量仪表专用传感器，超低功耗MMS103H传感器
信息内容：一、超低功耗MMS103H传感器介绍： MMS103H是一款集成了磁隧道结（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS103H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS103H通过内部电压稳压器来提供温度补偿，并允许宽的工作电压范围。MMS103H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、超低功耗MMS103H传感器简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这...
