一、应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时,MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时,MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音,推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容(靠近传感器)。如应用电路图所示,典型值为0.1μF。
二、公司简介:
我司是一家创新型的高科技公司,由多位欧美留学归国博士创办,提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻(TMR)的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案,该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。
本公司成立于2010年5月,总部位于江苏省张家港市保税区,并在美国加州、中国上海等地设有分公司,注册资本为3亿人民币,项目总投资5亿人民币。
三、TMR工作原理
TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义;
具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻);
室温条件下,TMR的电阻变化率(△R/R)可达500%以上。
心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!!
欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您!
联系方式:
1. 服务电话:0512-56366222
2. 电话:0512-56319303联系人:张先生
3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
一、传感器按照其制造工艺分类 集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器 集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的,相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时,同样可将部分电路制造在此基板上。 二、TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义; 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻); 室温条件下,TMR的电阻变化率(△R/R)可达500%以上。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
一、四代磁性传感技术 代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、GMR工作原理 电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射 大部分电子不能形成散射 室温条件下,GMR的电阻变化率(△R/R)<20% 三、AMR工作原理 单磁层器件 平行磁场感应 1~3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com