一、四代磁性传感技术
代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器
二、GMR工作原理
电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射
大部分电子不能形成散射
室温条件下,GMR的电阻变化率(△R/R)<20%
三、AMR工作原理
单磁层器件
平行磁场感应
1~3% △R/R
工作在45°偏角
电流在薄膜平面流动
工作场范围窄
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3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
一、四代磁性传感技术 代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、产品特点: 1.隧道磁电阻 (TMR) 技术 2.双极锁存型开关 3.高灵敏度,低开关点 4.超低功耗 5.宽工作电压范围 6.卓越的温度稳定性 7.极高的频率响应 8.优良的ESD防护性能 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
一、产品介绍: MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。 二、产品应用: 1.计量仪表(水表,气表,热量表) 2.固态开关 3.速度检测 4.旋转位置检测 5.线性位移检测 三、磁电阻传感器介绍: 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话...