一、产品介绍:
MMS105H是一款集成了磁隧道结(TMR)传感器和CMOS技术,为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极锁存型磁开关。MMS105H芯片内含有高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。MMS105H通过内部电压稳压器来提供温度补偿,并允许宽的工作电压范围。MMS105H以低电压工作、极高响应频率、微安级的供电电流、宽的工作温度范围成为众多低功耗应用的理想选择。
二、产品应用:
1.计量仪表(水表,气表,热量表)
2.固态开关
3.速度检测
4.旋转位置检测
5.线性位移检测
三、磁电阻传感器介绍:
磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。
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一、传感器的分辨率 分辨率是指传感器可感受到的被测量的最小变化的能力。也就是说,如果输入量从某一非零值缓慢地变化。当输入变化值未超过某一数值时,传感器的输出不会发生变化,即传感器对此输入量的变化是分辨不出来的。只有当输入量的变化超过分辨率时,其输出才会发生变化。 二、传感器按照其制造工艺分类 集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器 集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 三、磁电阻传感器介绍: 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一。 随着科学技术的迅速发展,人们对各种电子设备的性能要求不断提高,这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化,从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同,磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器,以及电磁感应传感器、磁弹性(应力) 传感器、温...
一、按材料的晶体结构分: 单晶 多晶非晶材料 与采用新材料紧密相关的传感器开发工作,可以归纳为下述三个方向: (1)在已知的材料中探索新的现象、效应和反应,然后使它们能在传感器技术中得到实际使用。 (2)探索新的材料,应用那些已知的现象、效应和反应来改进传感器技术。 (3)在研究新型材料的基础上探索新现象、新效应和反应,并在传感器技术中加以具体实施。 现代传感器制造业的进展取决于用于传感器技术的新材料和敏感元件的开发强度。传感器开发的基本趋势是和半导体以及介质材料的应用密切关联的。 二、磁电阻传感器介绍: 磁电阻(MR)效应是指在外磁场的作用下,材料的电阻率发生变化的一种物理现象。磁电阻值与饱和磁场强度的比值称为磁场灵敏度。磁电阻效应及其材料一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一 随着科学技术的迅速发展,人们对各种电子设备的性能要求不断提高,这种市场需求推动了磁电阻的研究的发展。磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化,从而检测出对象的状态和信息的器件。依据其物理效应的不同,磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电阻传感器,以及电磁感应传感器、磁弹...