供应高分辨率磁阻传感器，优质开关传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、传感器按照其制造工艺分类
集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器
集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。
二、TMR工作原理
TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义；
具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过——低电阻，否则不通过——高电阻）；
室温条件下，TMR的电阻变化率（△R/R）可达500%以上。
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供应高灵敏度开关传感器，优质MMS105H传感器厂家
信息内容：一、四代磁性传感技术 代：Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、GMR工作原理 电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射 大部分电子不能形成散射 室温条件下，GMR的电阻变化率（△R/R）<20% 三、AMR工作原理 单磁层器件 平行磁场感应 1～3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
供应霍尔效应传感器，传感器优质厂家
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