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供应高分辨率磁阻传感器,优质开关传感器

价 格: 面议
型号/规格:MMS105H
品牌/商标:MDT

一、传感器按照其制造工艺分类
  集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器
  集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
  薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的,相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时,同样可将部分电路制造在此基板上。

二、TMR工作原理
  TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义;
  具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻);
  室温条件下,TMR的电阻变化率(△R/R)可达500%以上。
  

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供应高灵敏度开关传感器,优质MMS105H传感器厂家

信息内容:

一、四代磁性传感技术  代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器  第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器  第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器  第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、GMR工作原理  电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射  大部分电子不能形成散射  室温条件下,GMR的电阻变化率(△R/R)<20% 三、AMR工作原理  单磁层器件  平行磁场感应  1~3% △R/R  工作在45°偏角  电流在薄膜平面流动  工作场范围窄 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com

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供应霍尔效应传感器,传感器优质厂家

信息内容:

一、四代磁性传感技术  代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器  第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器  第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器  第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器 二、产品特点:  1.隧道磁电阻 (TMR) 技术  2.双极锁存型开关  3.高灵敏度,低开关点  4.超低功耗  5.宽工作电压范围  6.卓越的温度稳定性  7.极高的频率响应  8.优良的ESD防护性能 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询,多维科技欢迎您! 联系方式: 1. 服务电话:0512-56366222 2. 电话:0512-56319303联系人:张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com

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