供应电子玩具专用传感器，MMS105H传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、产品简介：
基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。
二、应用指南
当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。
为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。
心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！
欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！
联系方式：
1. 服务电话：0512-56366222
2. 电话：0512-56319303联系人：张先生
3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
- 所属城市：江苏 苏州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张先生
- 电话：0512-56319303
- 传真：0512-56366200
- 手机：
- QQ ：
供应高频响磁阻开关传感器，MMS105H系列传感器
信息内容：一、应用指南 当平行于传感器敏感方向的磁场超过工作点门限BOP时，MMS105H输出低电平。当平行于传感器敏感方向的磁场低于释放点门限BRP时，MMS105H输出高电平。磁场工作点和释放点的差值就是传感器的回差BH。 为了降低外部噪音，推荐在传感器电源和地之间增加一个滤波电容（靠近传感器）。如应用电路图所示，典型值为0.1μF。 二、公司简介： 我司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术--隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 本公司成立于2010年5月，总部位于江苏省张家港市保税区，并在美国加州、中国上海等地设有分公司，注册资本为3亿人民币，项目总投资5亿人民币。 三、TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义； 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过——低电阻，否则不通过——高电阻）； 室温条件下，TMR的电阻变化率（△R/R）可达500%以上。 心动不如行动...
供应高分辨率磁阻传感器，优质开关传感器
信息内容：一、传感器按照其制造工艺分类 集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器 集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。 二、TMR工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性，电子在通过第二层磁性材料时，电子的自旋方向被定义； 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO（氧化镁）绝缘层，然后有选择性地穿过磁性层（自旋相同则通过——低电阻，否则不通过——高电阻）； 室温条件下，TMR的电阻变化率（△R/R）可达500%以上。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！ 联系方式： 1. 服务电话：0512-56366222 2. 电话：0512-56319303联系人：张先生 3. 或直接将您的意见发送到 info@dowaytech.com
