供应 600V 场效应管 FTA04N60 FTA02N60

价格：		面议
型号/规格：		FTA04N60 IPS TO-220F DIP/MOS N场 600 4 2.2Ω
品牌/商标：		IPS
封装形式：		TO-220F
环保类别：		无铅环保型
安装方式：		直插式
包装方式：		单件包装
功率特征：

详细介绍
企业详情

产品型号:FTA04N60

源漏极间雪崩电压VBR(V):600

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2

漏极电流Id(on)(A):4

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150

描述:600 V, 4A 功率MOSFET

产品型号:FTA02N60

源漏极间雪崩电压VBR(V):600

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.4

漏极电流Id(on)(A):2.2

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150

描述:600 V, 2.2A 功率MOSFET

深圳市金城微零件有限公司

公司信息未核实

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传真：0755-83957820
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供应 650V场效应管 FTA04N65 FTA02N65

信息内容：

产品型号:FTA04N65 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 漏极电流Id(on)(A):4 通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 4A 功率MOSFET 产品型号:FTA02N65 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):6.2 漏极电流Id(on)(A):1.8 通道极性:N沟道封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 1.8A 功率MOSFET

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