供应 场效应管 STP80N70F4 STP80N70 80N70F4
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STP80N70F4 ST TO-220 11NPB DIP/MOS N场 68 85 8.2mΩ | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | |
产品型号:STP80N70F4
源漏极间雪崩电压VBR(V):68
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):8.2
漏极电流Id(on)(A):85
通道极性:N沟道
功率：150W
封装/温度(℃)TO-220 4/-55 ~150
描述:68 V, 85A功率MOSFET
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 FQPF7N65C FQPF7N65 7N65
信息内容：产品型号:FQPF7N65C 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 漏极电流Id(on)(A):7 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 7 A 功率MOSFET
供应 600V场效应管 KHB4D5N60F 4D5N60F
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.600V,N沟道贴片场效应管（MOSFET）:SPD03N60C3,SOT252,Infineon,SMD/MOS,N场,600V,3.2A,1.4ΩSTB3NK60Z,SOT-263,ST,08NPB,SMD/MOS,600V,2.4A,3.6ΩSTB13NK60Z,SOT-263,ST,08NPB,SMD/MOS,600V,13A,0.55ΩSSM1N60A FAIRCHILD SOT-223AP01N60H AP/富鼎 SOT-252AP02N60H AP/富鼎 SOT-252FQD1N60C FAIRCHILD SOT-252IRFRC20 IR SOT-252MTD1N60ET4 ON SOT-252SPD01N60C3 infineon SOT-252SPD02N60C3 infineon SOT-252SPD03N60C3 infineon SOT-252SPD03N60S5 infineon SOT-252SPD04N60C3 infineon SOT-252SSR2N60B FAIRCHILD SOT-252MTB6N60ET4 MOT SOT-263SPB04N60S5 infineon SOT-263SPB11N60S5 infineon SOT-263600V,N沟道直插场效应管（MOSFET）:STF23NM60N ST TO-220F 11NPB DIP/MOS N场 600V 19A 0.18ΩCEP12N6 TO-220 CET/华瑞 DIP/MOS N场 ...
