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供应 650V场效应管 FTA04N65 FTA02N65

价 格: 面议
型号/规格:FTA04N65,TO-220F,MOS,650V,4A
品牌/商标:IPS
封装形式:TO-220F
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:单件包装
功率特征:

产品型号:FTA04N65

源漏极间雪崩电压VBR(V):650

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2

漏极电流Id(on)(A):4

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150


描述:650 V, 4A 功率
MOSFET

产品型号:FTA02N65

源漏极间雪崩电压VBR(V):650

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):6.2

漏极电流Id(on)(A):1.8

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150


描述:650 V, 1.8A 功率
MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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产品型号:STP80N70F4 源漏极间雪崩电压VBR(V):68 源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):8.2 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 功率:150W 封装/温度(℃)TO-220 4/-55 ~150 描述:68 V, 85A功率MOSFET

详细内容>>

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信息内容:

产品型号:FQPF7N65C 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 漏极电流Id(on)(A):7 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 7 A 功率MOSFET

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