价 格: | 面议 | |
型号/规格: | FTA04N65,TO-220F,MOS,650V,4A | |
品牌/商标: | IPS | |
封装形式: | TO-220F | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | |
产品型号:FTA04N65
源漏极间雪崩电压VBR(V):650
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2
漏极电流Id(on)(A):4
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150
描述:650 V, 4A 功率
产品型号:FTA02N65
源漏极间雪崩电压VBR(V):650
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):6.2
漏极电流Id(on)(A):1.8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150
描述:650 V, 1.8A 功率
产品型号:STP80N70F4 源漏极间雪崩电压VBR(V):68 源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):8.2 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 功率:150W 封装/温度(℃)TO-220 4/-55 ~150 描述:68 V, 85A功率MOSFET
产品型号:FQPF7N65C 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 漏极电流Id(on)(A):7 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 7 A 功率MOSFET