供应 500V 场效应管 FTP05N50 FTP08N50
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FTP08N50 IPS TO-220 06NPB DIP/MOS N场 500 8 0.9Ω | |
| 品牌/商标： | IPS | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 单件包装 | |
| 功率特征： | |
产品型号:FTP08N50
源漏极间雪崩电压VBR(V):500
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.9
漏极电流Id(on)(A):8
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:500 V, 8A 功率
产品型号: FTP05N50
源漏极间雪崩电压VBR(V):500
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.35
漏极电流Id(on)(A):4.5
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:500 V, 4.5A 功率
- 所属城市：广东 深圳
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供应 600V 场效应管 FTA04N60 FTA02N60
信息内容：产品型号:FTA04N60 源漏极间雪崩电压VBR(V):600 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 漏极电流Id(on)(A):4 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:600 V, 4A 功率MOSFET 产品型号:FTA02N60 源漏极间雪崩电压VBR(V):600 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):4.4 漏极电流Id(on)(A):2.2 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:600 V, 2.2A 功率MOSFET
供应 650V场效应管 FTA04N65 FTA02N65
信息内容：产品型号:FTA04N65 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 漏极电流Id(on)(A):4 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 4A 功率MOSFET 产品型号:FTA02N65 源漏极间雪崩电压VBR(V):650 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):6.2 漏极电流Id(on)(A):1.8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150 描述:650 V, 1.8A 功率MOSFET
