品牌:Micro One 型号:MEM2301 封装:SOT23 批号:2011 类型:其他IC
产品名称 | 通道 | VDS(Max) | VGS | ID电流 | 导通电阻 | 封装形式 |
MEM2301 | PMOS | -20V | -8V | -3.1A | 100mΩ | SOT23 |
描述: 特点: 应用:
MEM2301系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
●-20V/-2.8A
●RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A
●RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A
●超大密度单元、极小的RDS(ON))
●超小封装:SOT23
●电源管理
●负载开关
●电池保护
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品牌:Micro One 型号:MEM8205 封装:SOT23-6 批号:2011 类型:其他IC产品名称通道VDS(Max)VGSID电流导通电阻封装形式MEM8205NMOS 20V 12V 6A 20mΩ SOT23-6 描述:ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点:●20V/6A●RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A●RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A●RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A●超大密度单元、极小的RDS(ON))●两种封装:TSSOP8、SOT23-6 应用:●笔记本电池管理●便携式设备●电池电源系统●DC/DC转换●负载开关●LCD显示适配器 一级代理 低价抛货 量大价优,支持客户小批量拿,可送样,上批量包邮,我们将努力做到让您满意!联系人:李小姐手机:15118142136电话:0755-33561486传真:0755-89968970QQ : 357076438邮箱:ruifengtech@163.com网址:www.ruifengwei.com
品牌:Micro One 型号:MEM2318 封装:TSSOP8 批号:2011 类型:其他IC产品名称通道VDS(Max)VGSID电流导通电阻封装形式MEM2318NMOS 20V 12V 6A 19mΩ TSSOP8/SOT26 描述:MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2318适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点:●20V/6A●RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A●RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A●超大密度单元、极小的RDS(ON))●贴片封装:TSSOP-8●ESD保护:3000V●封装形式:TSSOP8,SOT-23-6 应用:● 笔记本电池管理●便携式设备●电池电源系统●DC/DC转换●负载开关●LCD显示适配器 一级代理 低价抛货 量大价优,支持客户小批量拿,可送样,上批量包邮,我们将努力做到让您满意!联系人:李小姐手机:15118142136电话:0755-33561486传真:0755-89968970QQ : 357076438邮箱:ruifengtech@163.com网址:www.ruifengwei.com