微盟原装 MEM2318 功率MOSFET
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:Micro One 型号:MEM2318 封装:TSSOP8 批号:2011 类型:其他IC
| 产品名称 | 通道 | VDS(Max) | VGS | ID电流 | 导通电阻 | 封装形式 |
| MEM2318 | NMOS | 20V | 12V | 6A | 19mΩ | TSSOP8/SOT26 |
描述: 特点: 应用:
MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2318适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
●20V/6A
●RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
●RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
●超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●贴片封装：TSSOP-8
●ESD保护：3000V
●封装形式：TSSOP8,SOT-23-6
● 笔记本电池管理
●便携式设备
●电池电源系统
●DC/DC转换
●负载开关
●LCD显示适配器
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ME6219 CMOS低压差线性稳压器
信息内容：品牌:Micro One 型号:ME6219 封装:SOT23-5 批号:2011 类型:稳压IC 描述：ME6219 系列是以CMOS工艺制造的高精度，低噪音，超快响应低压差线性稳压器。这系列的稳压器内置固定的叁考电压源，误差修正电路，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET， 达到高纹波抑制，低输出噪音，超快响应低压差的性能。ME6219 兼容体积比钽电容更小的陶瓷电容，而且不需使用 0.1μF 的 By-pass 电容，更能节省空间。其的高速响应特性能应付负载电流的波动，所以特别适合使用於手持及射频产品上。通过控制芯片上的CE脚可将输出关断，在关断后的功耗只有1μA以下。特点：●高精度输出电压：±2%●输出电压：1.2V~5.0V(步长 0.1V)●工作电压：2.0V ~ 6.5V●静态电流(Typ.=65μA)●极低的关断电流 (Typ.=0.1μA)●带载能力强：当Vin=4.3V且Vout=3.3V时Iout=300mA●高纹波抑制比:62dB @ 1KHz●输入稳定性好（Typ.=0.05%/V）●低输出噪音：50μVrms●封装形式：SOT-23-3，SOT-89-3，SOT-23-5，SOT-89-5应用：●手机●无绳电话设备●照相机●蓝牙及其他射频产品●基准电压源典型应用： dzsc/18/3057/18305760.jpg 一级代理 低价抛货
XN1202 高性能电流模式PWM开关电源控制器
信息内容：品牌:Innuovo 型号:XN1202 封装:DIP-8 批号:2011 类型:其他IC XN1202高性能电流模式PWM开关电源控制器概述 高性能电流模式PWM 控制器XN1202 是专为高性价比AC/DC 转换器系统所设计的。在AC85V-265V 的宽电压范围内提供高达5W 的连续输出功率。优化的高合理性的电路设计结合高性能价格比的Bipolar 集成电路工艺，上节约了产品的整体成本。 XN1202 可工作在典型的反激拓扑电源中，构成简洁的AC/DC 转换器。XN1202 内部的启动电路被设计成一种独特的电流吸入方式，可利用功率开关管本身的放大作用完成启动，这显著地降低了启动电阻的功率消耗；而在输出功率较小时，XN1202 将自动降低工作频率，从而实现了极低的待机功耗。在功率管截止时，内部电路将功率管反向偏置，直接利用了双极性晶体管的CB 高耐压特性，大幅度提高功率管的耐电压能力直接到700V 的高压，这保证了功率管的安全。 XN1202 内部还提供了完善的防过载防饱和功能，可实时防范过载、变压器饱和、输出短路等异常状况，提高了电源的可靠性。 XN1202 内部还集成了一个2.5V 的电压基准，为时钟电路提供精确的供电电压，而时钟频率则可由外部定时电容进行设...
