微盟原装 MEM8205 功率MOSFET
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:Micro One 型号:MEM8205 封装:SOT23-6 批号:2011 类型:其他IC
| 产品名称 | 通道 | VDS(Max) | VGS | ID电流 | 导通电阻 | 封装形式 |
| MEM8205 | NMOS | 20V | 12V | 6A | 20mΩ | SOT23-6 |
描述: MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点: 应用:
ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
●20V/6A
●RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
●RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
●RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
●超大密度单元、极小的RDS(ON)）
●两种封装：TSSOP8、SOT23-6
●笔记本电池管理
●便携式设备
●电池电源系统
●DC/DC转换
●负载开关
●LCD显示适配器
一级代理 低价抛货
量大价优，支持客户小批量拿，可送样，上批量包邮，我们将努力做到让您满意！
联系人：李小姐
手机：15118142136
电话：0755-33561486
传真：0755-89968970
QQ : 357076438
邮箱：ruifengtech@163.com
网址：www.ruifengwei.com
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李细芳
- 电话：0755-89968970
- 传真：0755-89968970
- 手机：
- QQ ：
微盟原装 MEM2318 功率MOSFET
信息内容：品牌:Micro One 型号:MEM2318 封装:TSSOP8 批号:2011 类型:其他IC产品名称通道VDS(Max)VGSID电流导通电阻封装形式MEM2318NMOS 20V 12V 6A 19mΩ TSSOP8/SOT26 描述:MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2318适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 特点:●20V/6A●RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A●RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A●超大密度单元、极小的RDS(ON)）●贴片封装：TSSOP-8●ESD保护：3000V●封装形式：TSSOP8,SOT-23-6 应用:● 笔记本电池管理●便携式设备●电池电源系统●DC/DC转换●负载开关●LCD显示适配器 一级代理 低价抛货 量大价优，支持客户小批量拿，可送样，上批量包邮，我们将努力做到让您满意！联系人：李小姐手机：15118142136电话：0755-33561486传真：0755-89968970QQ : 357076438邮箱：ruifengtech@163.com网址：www.ruifengwei.com
ME6219 CMOS低压差线性稳压器
信息内容：品牌:Micro One 型号:ME6219 封装:SOT23-5 批号:2011 类型:稳压IC 描述：ME6219 系列是以CMOS工艺制造的高精度，低噪音，超快响应低压差线性稳压器。这系列的稳压器内置固定的叁考电压源，误差修正电路，限流电路，相位补偿电路以及低内阻的MOSFET， 达到高纹波抑制，低输出噪音，超快响应低压差的性能。ME6219 兼容体积比钽电容更小的陶瓷电容，而且不需使用 0.1μF 的 By-pass 电容，更能节省空间。其的高速响应特性能应付负载电流的波动，所以特别适合使用於手持及射频产品上。通过控制芯片上的CE脚可将输出关断，在关断后的功耗只有1μA以下。特点：●高精度输出电压：±2%●输出电压：1.2V~5.0V(步长 0.1V)●工作电压：2.0V ~ 6.5V●静态电流(Typ.=65μA)●极低的关断电流 (Typ.=0.1μA)●带载能力强：当Vin=4.3V且Vout=3.3V时Iout=300mA●高纹波抑制比:62dB @ 1KHz●输入稳定性好（Typ.=0.05%/V）●低输出噪音：50μVrms●封装形式：SOT-23-3，SOT-89-3，SOT-23-5，SOT-89-5应用：●手机●无绳电话设备●照相机●蓝牙及其他射频产品●基准电压源典型应用： dzsc/18/3057/18305760.jpg 一级代理 低价抛货
