MX25L3206E |
Density | Vcc | Sector Type | Bus Width | Frequency(MHz) | Mode | Packages | Remark | Buy Online |
32Mb | 3V | 4KB, 64KB | x1, x2 | 86(x1), 80(x2) | 200mil 8-SOP 300mil 16-SOP 300mil 8-PDIP 6x5mm 8-WSON 4x4mm 8-USON |
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型号说明:
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产品描述: 应用霍尔效应闭环原理的电流传感器,能在电隔离条件下测量直流、交流、脉冲以及各种 不规则波形的电流。 ◆电参数 型号 CSM006NPT CSM015NPT CSM025NPT CSM050NPT IPN 原边额定输入电流 6 15 25 50 A IP 原边电流测量范围 0~±19.2 0~±48 0~±80 0~±150 A RM 取样电阻 100±0.5% 50±0.5% 50±0.5% 25±0.5% Ω VSN 副边额定输出电压 0.625±0.5% 0.625±0.5% 0.625±0.5% 0.625±0.5% V KN 匝数比 1:960 1:1200 1:2000 1:2000 VC 电源电压 +5(±5%) V IC 电流消耗 IP=0 <20 mA Vd 绝缘电压 在原边与副边电路之间2.5KV有效值/50Hz/1分钟 εL 线性度 <0.1 %FS X 精度 TA =25℃ ±0.7 % V0 零点失调电压 IP=0 TA =25℃ 2.5±1% V VOT 失调电压温漂 IP=0 TA=-25~+85℃ <±...
DDR SDRAM 是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称,是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品,采用2.5v工作电压,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度,并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽,例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比,工作频率同样是133MHz,但内存带宽达到了2.12 GB/s,比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM,是目前最常用的内存类型。 DESCRIPTION描述The Hynix HY5DU561622ETP is a 268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM, ideally suitedfor the point-to-point applications which requires high bandwidth.The Hynix 16Mx16 DDR SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of theclock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the /CK), Data,Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and fall...