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KBP08整流桥
信息内容：产品类型 整流桥、高压硅 品牌/商标 国产 型号/规格 KBP08 结构 点接触型 材料 其他 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 800（V） 正向直流电流IF 1.5（A） NA数据列表KBP005M/3N246 - KBP10M/3N252产品相片KBPM Pkg标准包装30类别分离式半导体产品家庭桥式整流器系列-电压 - 峰值反向()800V电流 - DC 正向(If)1.5A二极管型单相速度标准恢复 >500ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-安装类型通孔封装/外壳KBPM
2SK3078晶体管/TOS高频功率MOSFET
信息内容：品牌:TOSHIBA东芝 型号:2SK3078 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCBO:10（V） 集电极允许电流ICM:0.5（A） 集电极耗散功率PCM:1（W） 截止频率fT:0（MHz） 结构:面接触型 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装属性属性值条件部件型号2SK3078A 极性N沟 用途FRS/GMRS(470MHz) 漏源电压VDSS@Tc=25°C10 V 泄漏电流ID@Tc=25°C500 mA 功耗PD@Tc=25°C, max3 W 输出功率PO(最小)0.63WVDD= 4.5 V, f = 470 MHz, Pi = 0.1 W, Tc=25°C封装PW-Mini(4.6 x 4.2) 管脚数3 产品分类RF功率MOSFET RoHS Compatible Product(s) (#)Available
