原装仙童肖特基整流二极管RHRG3060CC
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | RHRG3060CC |
| 产品类型 | 检波管 | 结构 | 扩散型 |
| 材料 | 铟(In) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 方形 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 500（A） |
| 反向电压 | 500（V） |
型号: RHRG3060CC
厂商: FAIRCHILD
描 述: 30A, 400V - 600V Ultrafast Dual Diodes
中文描述: 30A条分别为400V - 600V的超快双二极管
- 所属城市：广东 深圳
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仙童MOS场效应管FQPF8N80C,8N80
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF8N80C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 800（V） 跨导 20（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW）
仙童MOS场效应管FQPF4N60,4N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 HEMT高电子迁移率 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 低频噪声系数 2000（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 200（mW） 型 号： FQPF4N60厂 商： Fairchild Semiconductor描 述： 600V N-Channel MOSFET 中文描述： 600V的N沟道MOSFET
