品牌/商标 | MAXIM | 型号/规格 | MAX1452AAE+ |
封装 | SSOP | 批号 | 11+ |
类型 | 其他IC |
描述
品牌/商标 ISC 型号/规格 IRF630A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 UNI/一般用途 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 描述晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9A电压, Vds :200V通电阻:400mohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :3V封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:100W功耗:100W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm时间, trr 典型值:170ns晶体管数:1晶体管类型:温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:9A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电容值, Ciss 典型值:540pF电流, Idm 脉冲:36A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:400mohm针脚格式: 1G 2+插口 D 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:3V阈值电压, Vgs ...
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 IRFB4710PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 UNI/一般用途 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 漏极电流 7500(mA) 耗散功率 2000(mW) 描述晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:75A电压, Vds :100V通电阻:14mohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :5.5V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:200W功耗:200W封装类型:TO-220AB晶体管类型:漏极电流, Id 值:75A热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Idm 脉冲:300A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on :14mohm阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V阈值电压, Vgs th :4.5V