IRF630A ISC特价产品！耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 1.30 |
| 品牌/商标 | ISC | 型号/规格 | IRF630A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | UNI/一般用途 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
描述
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:9A
- 电压, Vds :200V
- 通电阻:400mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs :3V
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 功率, Pd:100W
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-220
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 引脚节距:2.54mm
- 时间, trr 典型值:170ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 值:9A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电容值, Ciss 典型值:540pF
- 电流, Idm 脉冲:36A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:400mohm
- 针脚格式: 1G 2+插口 D 3S
- 针脚配置:a
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 阈值电压, Vgs th :2V
- 阈值电压, Vgs th :4V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 尹涛
- 电话：86 0755 13480842685
- 传真：86 0755 29680176
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IRFB4710PBF 超低价格原装现货！
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 IRFB4710PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 UNI/一般用途 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 漏极电流 7500（mA） 耗散功率 2000（mW） 描述晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:75A电压, Vds :100V通电阻:14mohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :5.5V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:200W功耗:200W封装类型:TO-220AB晶体管类型:漏极电流, Id 值:75A热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Idm 脉冲:300A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on :14mohm阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V阈值电压, Vgs th :4.5V
MBR30100 强茂原装现货 优势产品！
信息内容：产品类型 整流管 品牌/商标 强茂 型号/规格 MBR30100 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 大功率 频率特性 低频 反向电压VR 100（V） 正向直流电流IF 30000（mA）
