IRFB4710PBF 超低价格原装现货！
| 价 格： | 4.80 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | IRFB4710PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | UNI/一般用途 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 漏极电流 | 7500（mA） | 耗散功率 | 2000（mW） |
描述
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:75A
- 电压, Vds :100V
- 通电阻:14mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs :5.5V
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 功率, Pd:200W
- 功耗:200W
- 封装类型:TO-220AB
- 晶体管类型:
- 漏极电流, Id 值:75A
- 热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Idm 脉冲:300A
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on :14mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 阈值电压, Vgs th :4.5V
深圳市创导电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 尹涛
- 电话：86 0755 13480842685
- 传真：86 0755 29680176
- 手机：13751053809
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