供应3SK224射频放大器UHF电视调谐器的N沟道
| 价 格： | 面议 |
品牌:NEC 型号:3SK224-T2 封装:SOT-143 批号:00+ 类型:放大器
射频放大器，超高频电视调谐器N沟道硅双栅MOS场效应晶体管
特征
•低噪声系数：系数NF =1.8分贝典型值。（六= 900兆赫）
•高功率增益：全球定位系统=17分贝典型值。（六= 900兆赫）
•适合用作超高频电视调谐器射频放大器使用。
•自动安装：浮雕型编带
•小型封装：4针迷你模具
额定值（在TA = 25℃）
漏源极电压18 V的VDSX
Gate1至源极电压VG1S± 8（±10）*1伏特
Gate2至源极电压VG2S± 8（±10）*1伏特
Gate1至18 V的漏极电压VG1D
Gate2至18 V的漏极电压VG2D
漏极电流ID为25 mA
总功耗200mw
通道温度125 ° C的总胆固醇
存储温度Tstg-55℃至+125℃
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 赵燕铃
- 电话：0755-83687685
- 传真：0755-83687685
- 手机：
- QQ ：
专营功率MOSFET3.2A 20V N沟道
信息内容：品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRLMS1902TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:HEMT高电子迁移率 开启电压:20（V） 夹断电压:12（V） 跨导:*（μS） 极间电容:120（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:3200（mA） 耗散功率:13（mW）IRLMS1902 - HEXFET功率MOSFET -国际整流器第五代的HEXFET®功率MOSFET从国际整流器公司利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每芯片面积。这样做的好处，结合快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计的HEXFET®功率MOSFET是众所周知的，设计师提供了一个非常有效和具有可靠的装置在使用各种应用。该Micro6?封装，引线框架的定制产生的HEXFET®功率MOSFET的RDS（on）60％小于类似规模的SOT -23。这个软件包理想的印刷电路板空间的应用是溢价。它独特的散热设计和RDS（上）可减少对目前处理增加近300％相比，采用SOT- 23。
N沟道MOS场效应管2SK3053 高输入阻抗
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 2SK3503 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 开启电压 7（V） 夹断电压 16（V） 跨导 1（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 *（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 200（mW） 该2SK3503是一个N沟道MOS场效应管的垂直。因为它可以驱动电压高达1.5V的低，这是没有必要考虑驱动器的电流，这种场效应管作为一个低电流便携式驱动器的理想选择系统，如耳机音响和摄像机。特点•自动安装支持•门可以由一个1.5V电源•由于其高输入阻抗，有没有必要考虑驱动电流•由于偏置电阻可以省略，数组...
