N沟道MOS场效应管2SK3053 高输入阻抗
| 价 格： | 面议 |
| 品牌/商标 | NEC | 型号/规格 | 2SK3503 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 开启电压 | 7（V） | 夹断电压 | 16（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 10（pF） |
| 低频噪声系数 | *（dB） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 200（mW） |
该2SK3503是一个N沟道MOS场效应管的垂直。因为它可以驱动电压高达1.5V的低，这是没有必要考虑
驱动器的电流，这种场效应管作为一个低电流便携式驱动器的理想选择系统，如耳机音响和摄像机。
特点
•自动安装支持
•门可以由一个1.5V电源
•由于其高输入阻抗，有没有必要考虑驱动电流
•由于偏置电阻可以省略，数组件所需的可减少
Marking: E1
极限参数（TA= 25℃）
漏极至源极电压（VGS=0V）VDSS16 V
门至源极电压（VDS=0V）VGSS±7.0 V
漏电流（DC）（TC= 25° C）ID（DC）±0.1 A
漏电流（脉冲）注ID（脉冲）±0.4 A
总功率耗散（TC= 25° C）注2PT200毫瓦
TCH信道温度150° C
存储温度Tstg-55至+150° C
- 所属城市：广东 深圳
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