专营功率MOSFET3.2A 20V N沟道
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRLMS1902TRPBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:HEMT高电子迁移率 开启电压:20（V） 夹断电压:12（V） 跨导:*（μS） 极间电容:120（pF） 低频噪声系数:*（dB） 漏极电流:3200（mA） 耗散功率:13（mW）
IRLMS1902 - HEXFET功率MOSFET -国际整流器
第五代的HEXFET®功率MOSFET从国际整流器公司利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每芯片面积。这样做的好处，结合快速结合开关速度和坚固耐用的设备设计的HEXFET®功率MOSFET是众所周知的，设计师提供了一个非常有效和具有可靠的装置在使用各种应用。该Micro6?封装，引线框架的定制产生的HEXFET®功率MOSFET的RDS（on）60％小于类似规模的SOT -23。这个软件包理想的印刷电路板空间的应用是溢价。它独特的散热设计和RDS（上）可减少对目前处理增加近
300％相比，采用SOT- 23。
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N沟道MOS场效应管2SK3053 高输入阻抗
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 2SK3503 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 开启电压 7（V） 夹断电压 16（V） 跨导 1（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 *（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 200（mW） 该2SK3503是一个N沟道MOS场效应管的垂直。因为它可以驱动电压高达1.5V的低，这是没有必要考虑驱动器的电流，这种场效应管作为一个低电流便携式驱动器的理想选择系统，如耳机音响和摄像机。特点•自动安装支持•门可以由一个1.5V电源•由于其高输入阻抗，有没有必要考虑驱动电流•由于偏置电阻可以省略，数组...
PANJIT玻璃钝化单相桥式整流器1A1000V TB10S T/R
信息内容：产品类型 整流桥、高压硅 品牌/商标 PANJIT 强茂 型号/规格 TB10S T/R 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 玻璃封装 功率特性 大功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 1000（V） 正向直流电流IF 1（A） TB10S 微型表面贴装玻璃钝化单相桥式整流器1000伏电压1.0Ampers特点•玻璃钝化芯片junciton•非常适合于自动装配•节省空间在印刷电路板•身体??厚超薄<1.5毫米•低正...
