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供应稳压二极管芯片ZD5.1(玻封)

价 格: 42.00

品牌:晶新 型号:ZD5.1(玻封) 应用范围:稳压 封装形式:贴片型 封装材料:玻璃封装

ZD5.1(玻封)

用途:用于稳压电路

特征:稳压范围5.1V (±5%), 适用于DO35封装,耗散功率0.5W

芯片尺寸320µm×320µm
芯片厚度(含银点)175±10µm
金属层正面:Ag 点(40.0±10µm)
背面:Ag (1.9±0.2µm)

参数名称符号测试条件最小值典型值单位
稳压值VzIz=5.0mA4.85.45.1V
输出阻抗ZZTIZT=5.0mA60Ω
ZZKIZK=1.0mA480Ω
反向漏电流IRVR=2.0V2µA
正向电压VFIF=10mA0.9V

序号NO产品型号PC(mW)Im(mA)VZ(V)IR(μA)ZZK(Ω)VF(V)芯片尺寸(mm×mm)典型封装外形
VR 5 mA1 mAIF=10mA
7ZD5.1(玻封)500 4.8~5.42 V2604800.90.35×0.35DO-35

公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、ICSCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。

扬州晶新微电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:江苏 扬州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 韩仁芳
  • 电话:514-87902268
  • 传真:514-87902268
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供应稳压二极管芯片ZD36(玻封)

信息内容:

品牌:晶新 型号:ZD36(玻封) 应用范围:稳压 封装形式:贴片型 封装材料:玻璃封装ZD 36(玻封)用途:用于稳压电路特征:稳压范围36V (±5%),适用于DO35封装, 耗散功率0.5W芯片尺寸320µm×320µm芯片厚度(含银点)175±10µm金属层正面:Ag 点(40.0±10µm)背面:Ag (1.9±0.2µm)参数名称符号测试条件最小值值典型值单位稳压值VzIz=5.0mA34.237.836V输出阻抗ZZTIZT=2.0mA90ΩZZKIZK=0.5mA300Ω反向漏电流IRVR=27V0.5µA正向电压VFIF=100mA0.99V序号NO产品型号PC(mW)Im(mA)VZ(V)IR(μA)ZZK(Ω)VF(V)芯片尺寸(mm×mm)典型封装外形 VR 5 mA1 mAIF=10mA27ZD 36(玻封)500 34.2~37.827 V0.5903000.990.35×0.35DO-35公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。

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供应肖特基二极管芯片RB715

信息内容:

品牌:晶新 型号:RB715 应用范围:肖特基 封装形式:贴片型 封装材料:塑料封装RB715肖特基二极管芯片(4")用途:高速开关应用、电路保护、电压箝位特征:正向压降小、结电容小、适用于片式封装、有效图形数133600只。芯片尺寸230µm×230µm压焊区尺寸Φ120µm芯片厚度180±20µm锯片槽宽度40µm金属层正面:Al (2.3±0.2µm)背面:Au (1.4±0.2µm)电特性(Ta=25℃)参数名称符号测试条件最小典型值单位正向压降VFIF=0.1mA0.370.31V反向击穿电压VRIR=100µA4045V反向漏电流IRVR=10V1µA结电容CjVR=1V,f=1MHZ2PF反向恢复时间trrIF=IR=5mA,RL=100Ω,IRR=0.11R1ns序号NO产品型号PC(mW)VR(V)IR (μA)VF(V)结电容(PF)芯片尺寸(mm×mm)典型封装外形trr(ns)5 V10 V20 V30 V40V50 V1mA40mA100 mA1A3A4RB71525040 1 0.37 2.00.23×0.23SOT-231特征:正向压降小、结电容小、适用于片式封装、有效图形数133600只。详见www.jingxin-yz.com“产品介绍”公司主要产品:高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、...

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