单通道红外气体分析热释电传感器PYS
| 价 格： | 面议 |
品牌:WEDING 型号:PYS-F 种类:气体 材料:金属 材料物理性质:半导体 材料晶体结构:单晶 制作工艺:集成 输出信号:模拟型 防护等级:1 线性度:1（%F.S.） 迟滞:1（%F.S.） 重复性:1（%F.S.） 灵敏度:1 漂移:1 分辨率:1
外壳为标准TO-5结构，单通道热释电气体探测器，定做干涉滤波片。
可用于各种气体的测量，测量波长范围0.2到20um.
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
规格参数：
| PYS-F20 | 测试条件 | |
灵敏元类型 | 钽酸锂 |
| |
灵敏元尺寸 | ￠2.mm |
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窗口尺寸 | ￠5.0mm |
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窗口片厚度 | 0.7mm |
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工作波长 | 0.1~20µm |
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响应率 | ≥900V/W | 500K,10Hz,25℃,无窗口 | |
响应时间 | <0.5s |
| |
探测度 | ≥3.0×108 cmHz1/2w-1 | 500K, 10Hz，1Hz,25℃,无窗口 | |
噪声 | <350nV/Hz1/2 | 10Hz,1Hz,25℃ | |
视场 | 1300 |
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工作电压 | 2.0~15V |
| |
工作电流 | 8~24µA |
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源极电压 | 0.4~1.5V |
| |
输出阻抗 | 5~10K? | RS=47K?,25℃ | |
工作温度 | -20℃~70℃ |
| |
保存温度 | -30℃~80℃ |
|
管脚结构：
采用TO-5标准外壳
dzsc/17/6895/17689551.jpg
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
基本参数：
灵敏元材料：LiTaO3
灵敏元面积：￠2mm
视场角：≥1000
滤光片中心波长：根据不同气体自选
CO2= 4.26m; CO4 =4.65m; HC化合物=3.4m等
传感器探测率：D*（γ）=3~5×108
传感器噪声：VN ≤3 ×10-7 V/Hz1/2
响应率： RV ≥500V/W
- 所属城市：江苏 南京
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张德权
- 电话：025-52981820
- 传真：025-52981820
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IBSG中红外发光二极管LED23
信息内容：品牌:IBSG 型号:LED23 种类:光学发射器件 波段范围:中红外 运转方式:可调谐式 激励方式:电激励式 工作物质:半导体 光路径:反射型外光路 输出形式:功率型 传输信号:单电源型 速度:高速 通道:单通道 输出波长:2300（nm） 线宽:1（mm）中红外超级LED23系列波长2.3 - 2.39um开关时间 30ns使用温度-240度至50度TO-18封装dzsc/18/2182/18218275.jpgLight Emitting Diodes with central wavelength2,31 mm series are based on heterostructuresgrown on GaSb substrates by LPE. Solidsolutions GaInAsSb are used in the activelayer. Wide band gap solid solutionsAlGaAsSb with Al content 64% are used forgood electron confinement.Light Emitting Diodes with central wavelength2,31 mm series are based on heterostructuresgrown on GaSb substrates by LPE. Solidsolutions GaInAsSb are used in the activelayer. Wide band gap solid solutionsAlGaAsSb with Al content 64% are used forgood electron confinement.Light Emitting Diodes with central wavelength2,31 mm series are based on heterostructuresgrown on GaSb substrates by LPE. Solidsolutions ...
IBSG中红外发光二极管LED39
信息内容：品牌:IBSG 型号:LED39-XX 种类:光学发射器件 波段范围:中红外 运转方式:重复脉冲式 激励方式:电激励式 工作物质:半导体 光路径:反射型外光路 输出形式:功率型 传输信号:单电源型 速度:高速 通道:单通道 输出波长:3900（nm） 线宽:1（mm）中红外超级LED39系列dzsc/18/2182/18218276.jpg波长3.8- 4.0um开关时间 30ns使用温度-240度至50度TO-18封装 Light Emitting Diodes with centralwavelength 3,90 mm series are based onheterostructures grown on InAs substratesby MOCVD. InAsSb is used in the activelayer. Wide band gap solid solutionsInAsSbP with P content 50% are used forgood electron confinement.Light Emitting Diodes with centralwavelength 3,90 mm series are based onheterostructures grown on InAs substratesby MOCVD. InAsSb is used in the activelayer. Wide band gap solid solutionsInAsSbP with P content 50% are used forgood electron confinement.Light Emitting Diodes with centralwavelength 3,90 mm series are based onheterostructures grown on InAs substratesby MOCVD. InAsSb is used in the activelayer. Wide band gap...
