供应功率MOSFET管TK10A60D
| 价 格： | 面议 |
品牌:TOS日本东芝 型号:TK10A60D 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型
| 部件型号 | TK10A60D | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 600 V | |
| 漏电流ID | 10 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 25 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.75 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | N | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) |
- 所属城市：上海 上海市
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供应功率MOSFET 2SK3562
信息内容：品牌:TOSHIBA 型号:2SK3562(Q) 应用范围:功率 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:PNP型 封装形式:TO-220SIS 营销方式:代理 产品性质:热销本公司为东芝一级代理商，保证所有产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强 部件型号2SK3562 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID6 A 漏功耗PD40 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)28 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V1.25 Ω 封装TO-220SIS 用途 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚 MOS管 供应2SK3562（600V/6A） 2SK3568（500V/12A） 2SK3569（600V/10A） TK10A60D(600V/10A) TMP86F809 TMP86FH09 TMP86P807 TMP86FH47AUG TB62747AFG/AFNAG （LED屏驱动IC）
供应功率MOSFET 2SK3569
信息内容：品牌:TOSHIBA 型号:2SK3569(Q) 应用范围:功率 封装形式:TO-220SIS本公司为东芝一级代理商，保证所有产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强 部件型号2SK3569 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)42 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#) MOS管2SK3562（600V/6A） 2SK3568（500V/12A） 2SK3569（600V/10A） TK10A60D(600V/10A) TMP86F809 TMP86FH09 TMP86P807 TMP86FH47AUG TB62747AFG/AFNAG （LED屏驱动IC）
