供应功率MOSFET 2SK3569
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:TOSHIBA 型号:2SK3569(Q) 应用范围:功率 封装形式:TO-220SIS
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| 部件型号 | 2SK3569 | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 600 V | |
| 漏电流ID | 10 A | |
| 漏功耗PD | 45 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 42 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.75 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 | |
| RoHS Compatible Product(s) (#) |
MOS管
2SK3562（600V/6A） 2SK3568（500V/12A） 2SK3569（600V/10A） TK10A60D(600V/10A) TMP86F809 TMP86FH09 TMP86P807 TMP86FH47AUG TB62747AFG/AFNAG （LED屏驱动IC）
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东芝驱动光耦TLP250
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 TLP250(F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型
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信息内容：品牌:TOSHIBA东芝 型号:1SV280 应用范围:变容 结构:点接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:陶瓷封装 功率特性:中功率 频率特性:中频部件型号1SV280 用途L波段VCO 反向电压VR15 V 容量CT(管壳1)3.8 to 4.7 pFVR=2V容量CT(管壳2)1.5 to 2 pFVR=10V串联电阻 , typ0.44 Ω 电容率, typ2.4 配置Single 封装ESC (0.8 x 1.6) 管脚数2 表面安装型Y 产品分类变容二极管（电调谐用器件） 装配基础日本, 泰国RoHS Compatible Product(s) (#)Available 东芝一级代理，原装进口，订货能力强，保证产品上机一年质量。
