供应功率MOSFET 2SK3562
| 价 格： | 1111.00 |
品牌:TOSHIBA 型号:2SK3562(Q) 应用范围:功率 功率特性:中功率 频率特性:中频 极性:PNP型 封装形式:TO-220SIS 营销方式:代理 产品性质:热销
本公司为东芝一级代理商，保证所有产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强
| 部件型号 | 2SK3562 | |
| 极性 | N沟 | |
| 漏源电压VDSS | 600 V | |
| 漏电流ID | 6 A | |
| 漏功耗PD | 40 W | |
| 门电荷总数Qg(nC) (标准) | 28 | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 1.25 Ω | |
| 封装 | TO-220SIS | |
| 用途 | ||
| 产品分类 | 功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) | |
| 装配基础 | 日本, 马来西亚 |
MOS管 供应
2SK3562（600V/6A） 2SK3568（500V/12A） 2SK3569（600V/10A） TK10A60D(600V/10A) TMP86F809 TMP86FH09 TMP86P807 TMP86FH47AUG TB62747AFG/AFNAG （LED屏驱动IC）
- 所属城市：上海 上海市
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供应功率MOSFET 2SK3569
信息内容：品牌:TOSHIBA 型号:2SK3569(Q) 应用范围:功率 封装形式:TO-220SIS本公司为东芝一级代理商，保证所有产品均为东芝原厂，现货供应，订货价格竞争力强 部件型号2SK3569 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)42 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚RoHS Compatible Product(s) (#) MOS管2SK3562（600V/6A） 2SK3568（500V/12A） 2SK3569（600V/10A） TK10A60D(600V/10A) TMP86F809 TMP86FH09 TMP86P807 TMP86FH47AUG TB62747AFG/AFNAG （LED屏驱动IC）
东芝驱动光耦TLP250
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 TLP250(F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型
