供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片 4N60
| 价 格： | 面议 |
品牌:俄罗斯、韩国 型号:4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET 封装外形:WAFER/裸芯片 我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆4N60，共有两种不同尺寸，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 产品介绍： 4N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。 芯片基本性质：： 芯片型号Model 4N60 芯片尺寸： 3.20*3.58 3.42*2.76 VDSS 600V 600V RDS(on) 2.15(max) 2.5(max) ID 4.0A 4.0A 正面电极金属 铝 铝 背面电极金属 银 银
厂家参考封装形式：
芯片型号 | 封装型号 | 封装类型 |
4N60 | TO-220、TO-220PF | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
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供应MOS场效应管芯片 1N60
信息内容：品牌:- 型号:1N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）公司经销MOS场效应管芯片/晶圆1N60，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 产品介绍：1N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片物理参数：芯片型号Model1N60芯片尺寸：1.82*2.02芯片厚度(μm)290硅片直径(㎜)φ125正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：VDSS600VRDS(on)10.0(max)ID1.0A厂家参考封装形式：芯片型号封装型号封装类型1N60TO-252、TO-251塑封我公司可提供相关型号详细资料。
供应台湾STD整流二极管芯片、晶圆、裸片
信息内容：品牌:台湾 型号:STD整流二极管45MIL-480MIL 结构:台面型 材料:- 封装形式:晶粒 封装材料:裸芯片 应用范围:整流STD整流二极管系列: SIZEIFTYPEYield45 mil0.8 ASTD 101STD 102STD 103STD 104STD 105STD 106 STD 107>95%50 mil1.0 ASTD 101STD 102STD 103STD 104STD 105STD 106 STD 107>95%60 mil1.5 ASTD 151STD 152STD 153STD 154STD 155STD 156STD 157>95%70 mil2.0 ASTD 201STD 202STD 203STD 204STD 205STD 206STD 207>95%84 mil3.0 ASTD 301STD 302STD 303STD 304STD 305STD 306STD 307>95%88 mil3.0 ASTD 301STD 302STD 303STD 304STD 305STD 306STD 307>95%95 mil4.0 ASTD 401STD 402STD 403STD 404STD 405STD 406STD 407>95%100 mil5.0 ASTD 501STD 502STD 503STD 504STD 505STD 506STD 507>95%115 mil6.0 ASTD 601STD 602STD 603STD 604STD 605STD 606STD 607>95%120 mil6.0 ASTD 601STD 602STD 603STD 604STD 605STD 606STD 607>95%130 mil8.0 ASTD 801STD 802STD 803STD 804STD 805STD 806STD 807>95%140 mil10.0 ASTD 1001STD 1002STD 1003STD 1004STD 1005STD 1006STD 1007>95%160 mil15.0 ASTD 1501STD 1502STD 1503STD...
