供应MOS场效应管芯片 1N60
| 价 格： | 面议 |
品牌:- 型号:1N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）
公司经销MOS场效应管芯片/晶圆1N60，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 产品介绍： 1N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。 芯片物理参数：
芯片基本性质：
厂家参考封装形式：
我公司可提供相关型号详细资料。
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供应台湾STD整流二极管芯片、晶圆、裸片
信息内容：品牌:台湾 型号:STD整流二极管45MIL-480MIL 结构:台面型 材料:- 封装形式:晶粒 封装材料:裸芯片 应用范围:整流STD整流二极管系列: SIZEIFTYPEYield45 mil0.8 ASTD 101STD 102STD 103STD 104STD 105STD 106 STD 107>95%50 mil1.0 ASTD 101STD 102STD 103STD 104STD 105STD 106 STD 107>95%60 mil1.5 ASTD 151STD 152STD 153STD 154STD 155STD 156STD 157>95%70 mil2.0 ASTD 201STD 202STD 203STD 204STD 205STD 206STD 207>95%84 mil3.0 ASTD 301STD 302STD 303STD 304STD 305STD 306STD 307>95%88 mil3.0 ASTD 301STD 302STD 303STD 304STD 305STD 306STD 307>95%95 mil4.0 ASTD 401STD 402STD 403STD 404STD 405STD 406STD 407>95%100 mil5.0 ASTD 501STD 502STD 503STD 504STD 505STD 506STD 507>95%115 mil6.0 ASTD 601STD 602STD 603STD 604STD 605STD 606STD 607>95%120 mil6.0 ASTD 601STD 602STD 603STD 604STD 605STD 606STD 607>95%130 mil8.0 ASTD 801STD 802STD 803STD 804STD 805STD 806STD 807>95%140 mil10.0 ASTD 1001STD 1002STD 1003STD 1004STD 1005STD 1006STD 1007>95%160 mil15.0 ASTD 1501STD 1502STD 1503STD...
供应开关二极管芯片 1SS187
信息内容：品牌:TL 型号:1SS187 应用范围:开关 结构:点接触型 材料:硅 封装形式:裸片／晶圆 封装材料:裸芯片 发光颜色:- 正向工作电流:-（A） 反向电压:-（V）用途*用於高壓、高速開關應用 ■特征:*低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 *有效圖形數 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120μm 芯片厚度：180±10μm 锯片槽宽度：40μm 金屬層：正面:Al 2.3±10μm，背面:Au 1.4±10μm電特性(Ta=25℃)參 數 名 稱符 號測 試 條 件最 小最 大典型值單位反向電壓VRIR=0.1mA80 130V正向壓降VF（1）IF=10mA 1.00.67VVF（2）IF=100mA 1.20.92V反向漏電流IR（1）VR=20V 25 nAIR（2）VR=75V 1 μA總電容CTVR=0, f=1MHZ 3.02.0PF反向恢複時間trrIF=IR=10mA Irr=0.1×IR 4.0 ns用途*用於高壓、高速開關應用 ■特征:*低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 ...
