供应大功率三极管 BU941Z(BU941ZP)
| 价 格： | 1.20 |
品牌:俄罗斯 型号:BU941Z、BU941ZP、BU931Z、BU932Z 封装形式:裸芯片（晶圆）、成品 装配方式:裸芯片（晶圆）、成品 封装材料:塑料封装 结构:- 材料:硅 极性:NPN型 功率特性:大功率 营销方式:现货 应用范围:达林顿
本公司经销俄罗斯进口达林顿管，可长期、大量满足裸芯片和成品管供应。芯片全部进口（俄罗斯 ）
1、BU941系列主要型号：
BU941ZP、BU941Z 、BU941(同类型号:KT829AT)
BU941Z (同类型号:KTD8252、KT898AM、KT890AM、BU323ZT、BU931Z、ST931ZT、BU932Z)
用途：
用于各类机动车电子打火系统。
晶体管的物理性质如下：
1） 芯片直径100毫米
2） 芯片厚度为320+-20微米
3） 正面金属为铝
4） 背部金属为钛、镍、银合金
参数资料及性能：
芯片型号 Model | 极性 Polarity | 芯片尺寸 (mm) | Vceo (v) | Vcbo (v) | Icm (A) | HFE | |
min | max | ||||||
BU941Z | NPN | 5.0*5.0 | 350 | 350 | 30 | 300 |
|
BU941Z | NPN | 4.5*5.45 | 350 | 350 | 30 |
|
|
BU941Z | NPN | 4.0*5.0 | 350 | 350 | 30 | 300 |
|
BU941ZP | NPN | 4.7*4.7 | 350 | 350 | 30 | 300 |
|
BU941P
|
NPN |
4.97*4.36 |
420 |
700 |
30 | 1000 | 3000 |
800 | 3000 | ||||||
600 |
| ||||||
BU941 (KT829AT) | NPN | 4.0*4.0 | 120 | 120 | 15 | 1000 | 20000 |
200 |
| ||||||
内设有稳压管和二极管及电阻。
即可封装不同外型的成品管，也可以直接利用裸片焊接（芯片表面有保护膜）。
外型有：TO-220、TO-263、TO-3P、TO-218
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨艳
- 电话：0755-88391097
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供应MOS场效应管芯片、晶圆、裸片 4N60
信息内容：品牌:俄罗斯、韩国 型号:4N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET 封装外形:WAFER/裸芯片我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆4N60，共有两种不同尺寸，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：4N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片基本性质：：芯片型号Model4N60芯片尺寸：3.20*3.583.42*2.76VDSS600V600VRDS(on)2.15(max)2.5(max)ID4.0A4.0A正面电极金属铝铝背面电极金属银银厂家参考封装形式：芯片型号封装型号封装类型4N60TO-220、TO-220PF塑封我公司可提供相关型号详细资料。
供应MOS场效应管芯片 1N60
信息内容：品牌:- 型号:1N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） 极间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏极电流:-（mA） 耗散功率:-（mW）公司经销MOS场效应管芯片/晶圆1N60，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 产品介绍：1N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。芯片物理参数：芯片型号Model1N60芯片尺寸：1.82*2.02芯片厚度(μm)290硅片直径(㎜)φ125正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：VDSS600VRDS(on)10.0(max)ID1.0A厂家参考封装形式：芯片型号封装型号封装类型1N60TO-252、TO-251塑封我公司可提供相关型号详细资料。
