价 格: | 88.00 |
品牌:华润华晶 型号:NPN 应用范围:高反压 功率特性:大功率 频率特性:低频 极性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 特征频率:3(MHz) 集电极允许电流:1.5(A) 集电极允许耗散功率:40(W) 营销方式:现货 产品性质:热销
3DD3150A硅NPN型高反压大功率晶体管,主要用于开关电源作电压调整,其特点如下:
● 击穿电压高、漏电流小
● 开关速度快
● 饱和压降低
● 电流特性好
● 封装形式:TO-220AB
品牌:台产华昕 型号:2SD313E 应用范围:功率 功率特性:中功率 频率特性:高频 极性:NPN型 结构:外延型 材料:硅(Si) 封装形式:TO-220 封装材料:塑料封装 特征频率:8(MHz) 集电极允许电流:3(A) 集电极允许耗散功率:30(W) 营销方式:现货 产品性质:热销图片只做观看之用,请参考产品描述。 dzsc/17/5126/17512668.jpg
品牌:IR 型号:IRFRC20 封装:TO-252/DPAK 极限电压:600(V) 极限电流:2(A) 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 600V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 42W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓(Vgs) 20V