供应晶体三极管 2SD313/2SD313E

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品牌:台产华昕型号:2SD313E 应用范围:功率功率特性:中功率频率特性:高频极性:NPN型结构:外延型材料:硅(Si) 封装形式:TO-220 封装材料:塑料封装特征频率:8（MHz）集电极允许电流:3（A）集电极允许耗散功率:30（W）营销方式:现货产品性质:热销

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深圳市福田区华强广场新原电子销售部

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品牌:IR 型号:IRFRC20 封装:TO-252/DPAK 极限电压:600（V）极限电流:2（A）种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道類別離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 600V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 42W封裝編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓（Vgs） 20V

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品牌:IR 型号:IRLR3715 封装:TO-252/DPAK 极限电压:20（V）极限电流:49（A）种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道导电方式:增强型類別離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 20V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 49A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 11毫歐姆@ 15A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 810pF @ 10V功率 - 40W封裝編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓（Vgs） 20V

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