供应贴片场效应三极管IRFRC20
| 价 格： | 0.10 |
品牌:IR 型号:IRFRC20 封装:TO-252/DPAK 极限电压:600（V） 极限电流:2（A） 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V
功率 - 42W
封裝 編帶和捲軸封裝(TR)
閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
封裝/外殼 DPak (TO-252)
閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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供应贴片场效应三极管IRLR3715
信息内容：品牌:IR 型号:IRLR3715 封装:TO-252/DPAK 极限电压:20（V） 极限电流:49（A） 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 20V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 49A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 11毫歐姆@ 15A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 810pF @ 10V功率 - 40W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 11nC @ 4.5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
贴片场效应三极管STB19NB20
信息内容：品牌:STMicroelectronics 型号:STB19NB20T4 封装:TO-263/D2PAK 极限电压:200（V） 极限电流:19（A） 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道优势产品，原装现货供应！ 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 19A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 9.5A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 1000pF @ 25V功率 - 125W封裝 盘裝閘電流(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V封裝/外殼 D2PAK閘極至源極的電壓（Vgs） 30V
