贴片场效应三极管STB19NB20
| 价 格： | 0.10 |
品牌:STMicroelectronics 型号:STB19NB20T4 封装:TO-263/D2PAK 极限电压:200（V） 极限电流:19（A） 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道
优势产品，原装现货供应！
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 19A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 9.5A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 1000pF @ 25V
功率 - 125W
封裝 盘裝
閘電流(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
封裝/外殼 D2PAK
閘極至源極的電壓（Vgs） 30V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
- 手机：
- QQ ：
供应贴片场效应三极管IRFR3711
信息内容：品牌:INFINEON 型号:IRFR3711 封装:TO-252/DPAK 极限电压:20（V） 极限电流:93（A） 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
\贴片场效应三极管 IRFR9120/FR9120
信息内容：品牌:IR 型号:IRFR9120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:2-4（V） 夹断电压:0（V） 漏极电流:6600（mA） 耗散功率:40000（mW）類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 P通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 100V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6.6A 開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 3.9A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 40W 封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V 封裝/外殼 DPak (TO-252) 閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
