\贴片场效应三极管 IRFR9120/FR9120
| 价 格： | 0.10 |
品牌:IR 型号:IRFR9120 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:2-4（V） 夹断电压:0（V） 漏极电流:6600（mA） 耗散功率:40000（mW）
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 P通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6.6A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 3.9A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V
功率 - 40W
封裝 編帶和捲軸封裝(TR)
閘電流(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
封裝/外殼 DPak (TO-252)
閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
- 所属城市：广东 深圳
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供应变容二极管KDV153
信息内容：特色标志:现货 品牌:KEC 型号:KDV153-D/B 类别:贴片 结构:面接触型 封装形式:SOT-23 材料:硅 封装材料:塑料封装 应用范围:变容Variable Capacitance、Silicon Epitaxial Planar Diode(TV VHF,UHF Tuner，AFC VCO for UHF Band Radio)(可变电容、硅外延平面二极管（电视超高频，甚高频调谐器，超高频的自动频率控制、压控振荡器应用）)KDV153-B(14.5PF-15.4PF) 51000pcsKDV153-D(15.4PF-16.25PF) 117000pcs
反压大功率晶体管 DD3150/3DD3150
信息内容：品牌:华润华晶 型号:NPN 应用范围:高反压 功率特性:大功率 频率特性:低频 极性:NPN型 结构:平面型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装 特征频率:3（MHz） 集电极允许电流:1.5（A） 集电极允许耗散功率:40（W） 营销方式:现货 产品性质:热销3DD3150A硅NPN型高反压大功率晶体管，主要用于开关电源作电压调整，其特点如下： ● 击穿电压高、漏电流小● 开关速度快● 饱和压降低● 电流特性好● 封装形式：TO-220AB dzsc/17/5677/17567723.jpg
