AVX钽电容,泓胜达优势供应!100UF 16V 100UF 25V 100UF 6.3V
功率MOSFET的基本特性 1、静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。 2、动态特性MOSFET其测试电路和开关过程。 开通过程;开通延迟时间td(on) -Up前沿时刻到UGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段;上升时间tr- UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段;iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关,UGS达到UGSP后,在up作用下继续升高直至达到稳态,但iD已不变。开通时间ton-开通延迟时间与上升时间之和。 关断延迟时间td(off) -Up下降到零起,Cin通过RS和RG放电,UGS按指数曲线下降到UGSP时,iD开始减小为零的时间段。下降时间...